Samsungin osake nousee: voidaanko Nvidia pelastaa yhtiön piirivalimon?

Samsung Electronicsin osakkeet nousivat voimakkaasti tiistaina sen jälkeen, kun Nvidian uudet merkinnät vahvistivat odotuksia käänteestä yhtiön piirikomponenttien valmistusyksikössä.

Osake nousi varhaisessa kaupankäynnissä jopa 5 % sen jälkeen, kun Nvidian toimitusjohtaja Jensen Huang vahvisti, että Samsung valmistaa uusia tekoälypiirejä.

Päivitys on palauttanut huomion Samsungin foundry-yksikköön, joka on kamppaillut suurten tappioiden kanssa.

Samaan aikaan yhtiö käytti Nvidian GTC-konferenssia Kaliforniassa esitelläkseen uusia muistiteknologioita, mikä korosti sen pyrkimystä vahvistaa asemaansa tekoälypiirien markkinassa.

Nvidian vahvistus nostaa Samsungin osakkeita

Sijoittajien sentimentti parani Nvidian GTC-kehittäjäkonferenssissa maanantaina annettujen kommenttien jälkeen.

Jensen Huang kertoi, että Samsung valmistaa Groq LP30 -tekoälyinferenssiprosessoria ja lisäsi, että tuotanto on jo käynnissä ja toimituksia odotetaan tämän vuoden toisella puoliskolla.

Samsung esitteli myös Nvidia-piirejä, jotka on valmistettu sen 4 nanometrin prosessilla, mikä viestii edistymisestä kehittyneessä piirivalmistuksessa.

Tämä kehitys lisäsi odotuksia siitä, että sen sopimusvalmistusliiketoiminta voisi vakautua vuosien tappioiden jälkeen.

Osake kävi 198 000 wonissa ennen rauhoittumista 196 800 woniin, mikä tarkoittaa yhä 4,3 % nousua. Laajempi markkina eteni myös, nousten 2,7 %.

Piirivalimon elpyminen

Foundry-yksikkö on kohdannut painetta heikosta käyttöasteesta ja kovasta kilpailusta. Kuitenkin tekoälypiirien kasvava kysyntä luo uusia mahdollisuuksia.

Analyytikot ennustavat, että liiketoiminta voi saavuttaa breakeven-tason ensi vuonna, jos tekoälyyn liittyvät tilaukset jatkavat kasvuaan.

Nvidian kumppanuutta pidetään keskeisenä askeleena kapasiteetin käytön parantamisessa ja kannattavuuden palauttamisessa.

Heikko älypuhelinten kysyntä, osittain korkeampien muistien hintojen ajamana, saattaa jatkossakin painaa tulosta lyhyellä aikavälillä.

Tekoälymuistin kehitys

Samsung korosti myös edistysaskeliaan korkeasuoritteisissa muisteissa GTC-tapahtumassa.

Yhtiö esitteli HBM4E:n, seuraavan sukupolven korkean kaistanleveyden muistin, pian HBM4:n massatuotannon aloittamisen jälkeen.

Uusi piiri tarjoaa nopeuksia jopa 16 gigabittiä sekunnissa nastaa kohden, yli 20 % nopeammin kuin edeltäjänsä.

Kokonaiskaistanleveys on 4,0 teratavua sekunnissa, kun se HBM4:ssä oli 3,3 teratavua.

Nämä parannukset ovat tärkeitä tekoälyjärjestelmille, joissa nopeampi muisti mahdollistaa suurten tietomassojen nopeamman käsittelyn.

Samsung aikoo toimittaa näytteitä tämän vuoden toisella puoliskolla.

Teknologia ja kumppanuudet

Nopeushyötyjen lisäksi Samsung kuvaili parannuksia valmistuksessa ja paketoinnissa.

HBM4E yhdistää kuudennen sukupolven 10 nanometrin luokan DRAM-prosessin 4 nanometrin foundry-teknologiaan pohjalevylle.

Yhtiö esitteli myös hybridikupariliitoksen, joka vähentää lämmönvastusta noin 20 prosenttia ja mahdollistaa 16 kerrosta tai enemmän pinottavia rakenteita.

Samsung käytti tapahtumaa vahvistaakseen suhteitaan Nvidiaan esittelemällä tuotteita, jotka ovat linjassa tulevien alustojen kanssa, mukaan lukien muistiratkaisut seuraavan sukupolven GPU:ille ja palvelinjärjestelmille.

Raporttien mukaan Advanced Micro Devicesin toimitusjohtaja Lisa Su:n odotetaan tapaavan Samsungin puheenjohtaja Jay Y Leen Etelä-Koreassa, ja huomio on mahdollisessa yhteistyössä puolijohteissa.

Kilpailu kiristyy

Tekoälypiirien markkina kiristyy, kun datakeskin infrastruktuurin kysyntä kasvaa.

Kilpailijat, kuten SK hynix ja Micron, laajentavat myös omia korkeakaistanleveysmuistitarjontojaan.

Samsungin viimeisimmät ilmoitukset viittaavat siihen, että se pyrkii vahvistamaan asemaansa sekä muisti- että sopimusvalmistusalueilla.

Uuden tekoälypiirituotannon ja kehittyneen muistin kehityksen yhdistelmä auttaa muuttamaan odotuksia sen puolijohdestrategian suhteen.