Saham Samsung naik: bolehkah Nvidia memulihkan unit pembuatan kontrak yang bergelut?

Saham Samsung Electronics menyaksikan kenaikan ketara pada hari Selasa selepas isyarat baharu daripada Nvidia mengukuhkan jangkaan mengenai pembalikan nasib dalam perniagaan pembuatan cipnya.

Saham itu naik sehingga 5% pada dagangan awal selepas ketua Nvidia, Jensen Huang, mengesahkan bahawa Samsung sedang menghasilkan cip kecerdasan buatan baharu.

Kemas kini itu mengembalikan tumpuan kepada unit pembuatan kontrak Samsung, yang menghadapi kerugian besar.

Pada masa yang sama, syarikat itu menggunakan persidangan GTC Nvidia di California untuk mempamerkan teknologi memori baharu, menekankan usaha memperkukuh kedudukannya dalam pasaran semikonduktor AI.

Dorongan daripada Nvidia mengangkat saham Samsung

Sentimen pelabur bertambah baik selepas komen di persidangan pembangun GTC Nvidia pada hari Isnin.

Jensen Huang berkata Samsung sedang mengeluarkan pemproses inferens AI Groq LP30 dan menambah bahawa pengeluaran sudah berjalan, dengan penghantaran dijangka pada separuh kedua tahun ini.

Samsung juga mempamerkan cip Nvidia yang dibina menggunakan proses 4 nanometer, menandakan kemajuan dalam pembuatan cip maju.

Pembangunan itu menimbulkan jangkaan bahawa perniagaan pembuatan kontraknya boleh menjadi stabil selepas bertahun-tahun kerugian.

Saham mencecah 198,000 won sebelum turun kepada 196,800 won, masih meningkat 4.3%. Pasaran lebih luas juga menguat, naik 2.7%.

Pemulihan unit pembuatan kontrak

Unit pembuatan kontrak menghadapi tekanan akibat penggunaan kapasiti yang rendah dan persaingan sengit. Walau bagaimanapun, permintaan yang meningkat untuk cip AI membuka peluang baharu.

Penganalisis menjangka perniagaan itu boleh mencapai impas tahun depan jika pesanan berkaitan AI terus berkembang.

Perkongsian dengan Nvidia dilihat sebagai langkah utama untuk memperbaiki penggunaan kapasiti dan memulihkan keuntungan.

Permintaan telefon pintar yang lemah, sebahagiannya didorong oleh harga memori yang lebih tinggi, mungkin terus membebankan pendapatan dalam jangka pendek.

Tumpuan memori AI

Samsung juga menonjolkan kemajuannya dalam memori berprestasi tinggi pada acara GTC.

Syarikat itu memperkenalkan HBM4E, generasi seterusnya memori jalur lebar tinggi, tidak lama selepas memulakan pengeluaran besar-besaran HBM4.

Cip baharu ini memberikan kelajuan sehingga 16 gigabit sesaat setiap pin, lebih 20% lebih pantas daripada pendahulunya.

Jumlah jalur lebar mencapai 4.0 terabytes sesaat, naik daripada 3.3 terabytes dalam HBM4.

Peningkatan ini penting untuk sistem AI, di mana memori yang lebih pantas membolehkan pemprosesan set data besar dilakukan dengan lebih cepat.

Samsung merancang menghantar sampel pada separuh kedua tahun ini.

Teknologi dan perkongsian

Selain peningkatan kelajuan, Samsung menggariskan peningkatan dalam pembuatan dan pembungkusan.

HBM4E menggabungkan proses DRAM kelas 10-nanometer generasi keenam dengan teknologi foundry 4-nanometer untuk die asas.

Syarikat itu juga memperkenalkan ikatan tembaga hibrid, yang mengurangkan rintangan terma kira-kira 20 peratus dan membolehkan penyusunan 16 lapisan atau lebih.

Samsung menggunakan acara itu untuk mengukuhkan hubungan dengan Nvidia dengan mempamerkan produk yang selari dengan platform akan datang, termasuk memori untuk GPU generasi seterusnya dan sistem pelayan.

Laporan menyatakan ketua Advanced Micro Devices, Lisa Su, dijangka bertemu pengerusi Samsung, Jay Y Lee, di Korea Selatan, dengan tumpuan pada kemungkinan kerjasama dalam semikonduktor.

Persaingan meningkat

Pasaran semikonduktor AI menjadi semakin kompetitif apabila permintaan untuk infrastruktur pusat data meningkat.

Pesaing seperti SK hynix dan Micron juga sedang mengembangkan tawaran memori jalur lebar tinggi mereka.

Pengumuman terkini Samsung menunjukkan ia bergerak untuk mengukuhkan kedudukannya dalam memori dan perkhidmatan pembuatan kontrak.

Gabungan pengeluaran cip AI baharu dan pembangunan memori maju membantu mengubah jangkaan terhadap strategi semikonduktornya.