Kurs Samsunga rośnie: czy Nvidia ożywi jego zmagający się dział foundry?

Akcje Samsung Electronics gwałtownie wzrosły we wtorek po nowych sygnałach od Nvidii, które wzmocniły oczekiwania odwrócenia sytuacji w jego biznesie produkcji układów.

Walory poszły w górę nawet o 5% we wczesnym handlu po tym, jak szef Nvidii Jensen Huang potwierdził, że Samsung produkuje nowe układy do sztucznej inteligencji.

Aktualizacja ta ponownie skupiła uwagę na dziale foundry Samsunga, który borykał się z dużymi stratami.

Jednocześnie firma wykorzystała konferencję GTC Nvidii w Kalifornii, aby zaprezentować nowe technologie pamięci, podkreślając dążenie do wzmocnienia pozycji na rynku półprzewodników dla AI.

Wzrost akcji po wsparciu Nvidii

Nastroje inwestorów poprawiły się po komentarzach na konferencji deweloperskiej GTC Nvidii w poniedziałek.

Jensen Huang poinformował, że Samsung produkuje procesor inferencyjny AI Groq LP30 i dodał, że produkcja jest już w toku, a dostawy spodziewane są w drugiej połowie tego roku.

Samsung zaprezentował też układy Nvidii wykonane w jego procesie 4 nanometrów, sygnalizując postęp w zaawansowanej produkcji chipów.

To wydarzenie zwiększyło oczekiwania, że działalność kontraktowej produkcji chipów może się ustabilizować po latach strat.

Akcje osiągnęły 198,000 won, po czym osłabiły się do 196,800 won, wciąż jednak były na plusie o 4,3%. Szerszy rynek również poszedł w górę, rosnąc o 2,7%.

Ożywienie działu foundry

Dział foundry zmagał się z presją wynikającą z niskiego wykorzystania mocy produkcyjnych i silnej konkurencji. Jednak rosnący popyt na układy AI tworzy nowe możliwości.

Analitycy oczekują, że działalność może osiągnąć punkt rentowności w przyszłym roku, jeśli zamówienia związane z AI będą nadal rosnąć.

Partnerstwo z Nvidią jest postrzegane jako kluczowy krok w poprawie wykorzystania mocy produkcyjnych i przywróceniu rentowności.

Słaby popyt na smartfony, częściowo wynikający z wyższych cen pamięci, może nadal obciążać wyniki w krótkim terminie.

Nacisk na pamięć dla AI

Samsung podkreślił też swoje postępy w obszarze pamięci wysokiej wydajności na wydarzeniu GTC.

Firma wprowadziła HBM4E, swoją pamięć o wysokiej przepustowości następnej generacji, wkrótce po rozpoczęciu masowej produkcji HBM4.

Nowy układ zapewnia prędkości do 16 gigabitów na sekundę na pin, co jest o ponad 20% szybsze niż jego poprzednik.

Całkowita przepustowość osiąga 4,0 terabajta na sekundę, wobec 3,3 terabajta w HBM4.

Te ulepszenia są istotne dla systemów AI, gdzie szybsza pamięć umożliwia szybsze przetwarzanie dużych zbiorów danych.

Samsung planuje wysyłać próbki w drugiej połowie tego roku.

Technologia i partnerstwa

Ponad wzrostem prędkości, Samsung przedstawił także ulepszenia w produkcji i opakowaniu.

HBM4E łączy proces DRAM szóstej generacji klasy 10 nanometrów z technologią foundry 4 nanometrów dla rdzenia bazowego.

Firma wprowadziła też hybrydowe łączenie miedziane, które zmniejsza opór termiczny o około 20% i umożliwia układanie 16 lub więcej warstw.

Samsung wykorzystał wydarzenie, aby wzmocnić więzi z Nvidią, prezentując produkty dostosowane do nadchodzących platform, w tym pamięci dla następnej generacji GPU i systemów serwerowych.

Doniesienia wskazują, że oczekuje się, iż szefowa Advanced Micro Devices, Lisa Su, spotka się z przewodniczącym Samsunga Jay Y Lee w Korei Południowej, a uwaga koncentruje się na możliwej współpracy w obszarze półprzewodników.

Narastająca konkurencja

Rynek półprzewodników dla AI staje się coraz bardziej konkurencyjny wraz ze wzrostem popytu na infrastrukturę centrów danych.

Rivali, tacy jak SK hynix i Micron, również rozszerzają ofertę pamięci o wysokiej przepustowości.

Najnowsze zapowiedzi Samsunga sugerują, że firma dąży do wzmocnienia swojej pozycji zarówno w obszarze pamięci, jak i kontraktowej produkcji chipów.

Połączenie nowej produkcji układów AI i zaawansowanego rozwoju pamięci pomaga zmieniać oczekiwania wobec jego strategii półprzewodnikowej.