Entradas no ETF DRAM aumentam; Micron, SanDisk, SK Hynix e Samsung lideram rali

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Comprar ETF DRAM. As notícias mostram força ampla do setor de memória (Micron, Samsung, SK Hynix), além de entradas massivas no ETF ($10B+ em um mês). O fator fundamental é o capex dos hiperescaladores permanecendo elevado (Alphabet $205B), sustentando a narrativa de 'demanda > oferta' e mantendo os preços firmes até a próxima onda de resultados.
Key Risk: Hiperescaladores cortam gastos com data centers após resultados, invertendo expectativas de demanda e esmagando os preços do DRAM.
Comprar Micron. É o beneficiário de maior beta da assimetria entre demanda de computação e oferta e do rali dos nomes de DRAM, com preços-alvo dos analistas bem acima do preço atual. Se os próximos resultados confirmarem oferta apertada e preços fortes, a MU deve superar o ETF porque é mais sensível ao sentimento e às reviravoltas do ciclo de memória.
Key Risk: Reversão rápida nos preços do DRAM (ramp-up de capacidade ou demanda abaixo do esperado), fazendo com que o guidance da Micron recue.
- O ETF DRAM teve alta nos últimos dias.
- As principais ações de memória se recuperaram nesta semana.
- O DRAM enfrenta riscos substanciais, incluindo concentração.
Investidores estão se posicionando no Roundhill Memory ETF (DRAM) enquanto as principais ações do setor se recuperam. O DRAM saltou para $59.23, alta de 20% em relação ao menor nível deste mês.
Entradas no ETF DRAM disparam enquanto principais ações sobem
O Roundhill Memory ETF subiu à medida que as principais empresas do setor de memória se recuperaram. Na Coreia do Sul, as ações da Samsung Electronics aumentaram mais de 12% desde o ponto mais baixo deste mês. A SK Hynix subiu para 1,919,000, alta de 14% em relação ao menor nível deste mês.
Outras grandes empresas do setor se recuperaram. Isso inclui empresas populares como Micron, SanDisk, Kioxia e Seagate Technologies.
O rali em curso ocorre à medida que empresas começam a comprar na baixa, com muitos analistas permanecendo otimistas em relação ao setor. Em nota recente, analistas do UBS disseram:
“A demanda por capacidade de computação continua a exceder a oferta disponível, enquanto as restrições de capacidade ao longo da cadeia de suprimentos provavelmente não vão aliviar rapidamente.”
Os analistas acrescentaram que não estavam vendo pânico nas indústrias de semicondutores e memória, com os hiperescaladores mantendo o ritmo de gastos.
Essa visão foi confirmada ontem à noite quando Alphabet divulgou seus resultados financeiros, observando que aumentaria seu capital de investimentos este ano para $205 billion. A maior parte desses recursos será destinada aos gastos com data centers.
A maioria dos analistas manteve uma perspectiva otimista para algumas das maiores empresas de memória. Por exemplo, o preço-alvo médio para a ação da Micron entre analistas é $1,268, acima substancialmente do atual $960. Os analistas mais otimistas são da DA Davidson, Susquehanna e Barclays, com alvo de $2,000.
Todos os analistas de Wall Street que acompanham a SanDisk têm avaliação otimista para a empresa, com o preço-alvo médio em $1,820, acima moderadamente do atual $1,600. Mehdi Hosseini, da Susquehanna, espera que suba para $3,250.
Essas métricas explicam por que os investidores estão comprando o ETF DRAM. Dados do ETF Db mostram que o fundo teve mais de $10 billion em entradas no último mês. Suas entradas em três meses saltaram para quase $24 billion, elevando seus ativos sob gestão para $23 billion.

Resultados-chave pela frente enquanto riscos persistem
As próximas semanas serão importantes para o ETF DRAM à medida que alguns de seus principais constituintes e clientes divulgarem seus resultados. A Alphabet já divulgou seus números, enquanto outras big-techs como Amazon, Meta Platforms, Apple e Microsoft divulgarão seus números na próxima semana. Esses resultados fornecerão pistas adicionais sobre se estão aumentando seus gastos.
A Micron e a Samsung Electronics já anunciaram seus relatórios, com receitas subindo em três dígitos. A Seagate Technology e a SK Hynix divulgarão seus resultados em 28 e 29 de julho, respectivamente.
A japonesa Kioxia divulgará os números em 31 de julho, enquanto a SanDisk publicará seus resultados em 5 de agosto. Outros constituintes incluem Western Digital, GigaDevice e Nanya Technology, que também divulgarão seus números em breve.
Ainda assim, o ETF DRAM enfrenta três riscos principais, como escrevemos anteriormente. O maior é sua concentração substancial, com três das maiores empresas respondendo por mais de 70% do fundo.
Outro risco é que a indústria de memória seja altamente cíclica, como vimos em 2023. Períodos de alta demanda levam a aumento da produção, o que por sua vez pressiona os preços para baixo. Em 2023, a maioria das empresas registrou queda significativa na receita.
Além disso, há o risco de que alguns dos principais hiperescaladores comecem a reduzir seus gastos nos próximos meses ou anos, o que afetaria a demanda.
Também existe o risco de que a atual recuperação do ETF DRAM seja um "dead-cat bounce" — uma situação em que um ativo em queda se recupera brevemente e depois retoma a tendência de baixa.

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