ETF de DRAM subiu 18% no mês passado: pode manter o desempenho?

O Roundhill Memory ETF subiu quase 18% no último mês, com investidores focados no aperto da oferta de memória e no aumento da demanda por memória de alta largura de banda (HBM) usada na infraestrutura de inteligência artificial.

A expansão da IA impulsiona a demanda por memória

Um relatório do Seeking Alpha destacou a crescente importância da memória na construção da infraestrutura de IA, citando pesquisa da empresa taiwanesa de pesquisa de mercado de semicondutores TrendForce.

A TrendForce informou que DRAM e NAND Flash devem responder por 47% do total de despesas de capital dos provedores de serviços em nuvem em 2026, com essa participação projetada para subir para 68% em 2027.

A pesquisa relacionou o aperto no mercado de DRAM ao aumento da demanda por HBM.

O HBM é amplamente usado em fluxos de trabalho de IA, enquanto cada unidade de HBM exige aproximadamente três a quatro vezes a capacidade de wafer da memória DDR5 tradicional.

À medida que os fabricantes transferem capacidade de produção para o HBM, resta menos capacidade disponível para o DRAM convencional.

A indústria de memória historicamente passou por ciclos acentuados de expansão e contração, contribuindo para períodos de subinvestimento e consolidação.

Samsung Electronics, SK hynix e Micron são agora as três principais empresas remanescentes no mercado de DRAM e HBM.

Preços do DRAM disparam enquanto a oferta permanece apertada

O desequilíbrio entre oferta e demanda também se refletiu nos preços da memória.

O relatório do Seeking Alpha disse que os preços à vista do DDR5 16G DRAM aumentaram de $6.20 por unidade em early August 2025 para $54 em September 3, 2026, representando um aumento de 775.6%.

O relatório também observou que preços maiores de memória ajudaram os grandes fabricantes a melhorar a rentabilidade. Citou a recente ascensão da Samsung ao topo de um ranking das empresas mais lucrativas do mundo, superando a Nvidia.

Apesar do cenário setorial favorável, o Roundhill Memory ETF sofreu anteriormente uma queda significativa a partir de um pico acima de $80. A liquidação foi decorrente de liquidações forçadas vinculadas a posicionamentos alavancados de varejo na Coreia do Sul, e não de uma deterioração nos fundamentos da indústria.

O relatório afirmou que avaliações e programas de retorno ao acionista nas três grandes fabricantes de memória podem oferecer suporte adicional. O ETF oferece uma forma de os investidores obterem exposição à Samsung, SK hynix e Micron sem ter de escolher uma empresa específica.

Concentração traz oportunidades e riscos

Samsung, SK hynix e Micron respondem por cerca de 73% dos ativos do Roundhill Memory ETF.

Essa concentração dá aos investidores exposição direcionada às principais empresas de memória, mas também aumenta o impacto de eventos específicos de cada companhia.

O ETF enfrenta vários riscos. Um trimestre fraco de uma de suas maiores participações ou uma redução nos investimentos em infraestrutura de IA por parte de um grande hiperescalador poderia pesar desproporcionalmente sobre o fundo. Os preços da memória também são cíclicos e podem mudar rapidamente.

Ainda assim, o analista do Seeking Alpha argumentou que o ciclo atual pode diferir de booms anteriores de memória porque o HBM é cada vez mais importante para cargas de trabalho de IA.

A análise afirmou que, embora os gastos em infraestrutura de IA possam eventualmente se normalizar, um colapso na demanda por HBM parece improvável enquanto os principais provedores de nuvem continuarem a expandir-se.

Portanto, o Roundhill Memory ETF oferece aos investidores exposição concentrada a uma indústria de memória beneficiada pela demanda relacionada à IA, embora seu desempenho permaneça sensível aos ciclos de semicondutores, avaliações e aos gastos das grandes empresas de tecnologia.

Investidores passivos que procuram capitalizar o boom dos chips de memória podem investir em DRAM ou em outros fundos temáticos como este por meio de plataformas de ETF.