Akcie Samsungu rostou: může Nvidia oživit jeho ztrátovou smluvní výrobu čipů?

Akcie Samsung Electronics v úterý prudce vzrostly poté, co nové signály od Nvidie posílily očekávání obratu v jeho podnikání s výrobou čipů.

Akcie v ranním obchodování vystoupaly až o 5% poté, co generální ředitel Nvidie Jensen Huang potvrdil, že Samsung vyrábí nové čipy pro umělou inteligenci.

Tato informace opět upřela pozornost na divizi pro smluvní výrobu čipů Samsungu, která se potýkala s výraznými ztrátami.

Současně společnost využila konferenci GTC Nvidie v Kalifornii k představení nových paměťových technologií, čímž zdůraznila snahu posílit svou pozici na trhu polovodičů pro AI.

Podpora Nvidie zvedla akcie Samsungu

Sentiment investorů se zlepšil po komentářích na developerské konferenci GTC Nvidie v pondělí.

Jensen Huang uvedl, že Samsung vyrábí AI inferenční procesor Groq LP30 a dodal, že výroba již probíhá, přičemž dodávky se očekávají ve druhé polovině tohoto roku.

Samsung také ukázal čipy Nvidia vyráběné jeho 4 nanometrovým procesem, což naznačuje pokrok v pokročilé výrobě čipů.

Tento vývoj zvýšil očekávání, že by se jeho podnikání ve smluvní výrobě čipů mohlo po letech ztrát stabilizovat.

Akcie dosáhly 198,000 won předtím, než se ustálily na 196,800 won, přesto stále rostly o 4.3%. Širší trh rovněž vzrostl o 2.7%.

Oživení smluvní výroby čipů

Divize pro smluvní výrobu čipů čelila tlaku kvůli nízkému využití kapacit a silné konkurenci. Rostoucí poptávka po AI čipech však vytváří nové příležitosti.

Analytici očekávají, že by podnik mohl dosáhnout vyrovnanosti příští rok, pokud objednávky související s AI budou nadále růst.

Partnerství s Nvidií je vnímáno jako klíčový krok k lepšímu využití kapacit a obnově ziskovosti.

Slabá poptávka po smartphonech, částečně způsobená vyššími cenami pamětí, může i nadále krátkodobě tížit zisky.

Zaměření na paměti pro AI

Samsung na akci GTC rovněž zdůraznil pokrok v oblasti vysoce výkonných pamětí.

Společnost představila HBM4E, svou další generaci vysoce propustné paměti, krátce poté, co zahájila hromadnou výrobu HBM4.

Nový čip dosahuje rychlostí až 16 gigabitů za sekundu na pin, což je více než o 20% rychleji než jeho předchůdce.

Celková propustnost dosahuje 4.0 terabajtů za sekundu, oproti 3.3 terabajtům u HBM4.

Tyto zlepšení jsou důležitá pro AI systémy, kde rychlejší paměť umožňuje rychlejší zpracování velkých datových souborů.

Samsung plánuje dodat vzorky ve druhé polovině tohoto roku.

Technologie a partnerství

Kromě nárůstu rychlosti Samsung představil také upgrady ve výrobě a pouzdření.

HBM4E kombinuje DRAM proces šesté generace třídy 10 nanometrů s 4nanometrovou technologií foundry pro základní die.

Společnost také představila hybridní měděné propojení, které snižuje tepelný odpor přibližně o 20 procent a umožňuje stohování 16 vrstev nebo více.

Samsung využil akci k posílení vazeb s Nvidií tím, že představil produkty sladěné s nadcházejícími platformami, včetně pamětí pro příští generaci GPU a serverových systémů.

Podle zpráv se očekává, že šéfka Advanced Micro Devices Lisa Su se setká s předsedou Samsungu Jay Y Leem v Jižní Koreji, přičemž pozornost se soustředí na možnou spolupráci v oblasti polovodičů.

Konkurence roste

Trh polovodičů pro AI se stává konkurenčnějším, protože roste poptávka po infrastruktuře datových center.

Soupeři jako SK hynix a Micron rovněž rozšiřují svou nabídku vysoce propustných pamětí.

Nejnovější oznámení Samsungu naznačují, že se společnost posouvá k posílení své pozice v oblasti pamětí i smluvní výroby čipů.

Kombinace nové produkce AI čipů a pokročilého vývoje pamětí pomáhá měnit očekávání ohledně její polovodičové strategie.