DRAM: Por qué este ETF de Micron, SanDisk y SK Hynix está a punto de subir

El Roundhill Memory ETF (DRAM) ha perdido el impulso que tenía hace unos meses, ya que la mayoría de las acciones de memoria han retrocedido. Ha caído a $50.9, un 37% por debajo de su máximo histórico. Aun así, hay razones por las que este fondo podría recuperarse en las próximas semanas o meses. 

DRAM puede beneficiarse de la acumulación en curso

Una razón por la que el ETF DRAM podría estar al borde de una ruptura alcista es que los inversores estadounidenses están acumulando el fondo. Los datos de ETF Db muestran que sus entradas han seguido comprando, incluso mientras permanecía en un mercado bajista. 

El fondo registró $222 millones en entradas el 7 de agosto, situando las entradas mensuales en más de $5.72 mil millones. Este crecimiento ha elevado sus entradas acumuladas a $23.79 mil millones, convirtiéndolo en uno de los fondos de mayor crecimiento este año. Ahora posee $23.8 mil millones en activos y es uno de los fondos más negociados en Wall Street. 

La acumulación en curso se produce incluso cuando la mayoría de las empresas componentes siguen en un mercado bajista. Las acciones de Micron han caído más del 30% desde su máximo histórico, mientras que nombres surcoreanos como Samsung y SK Hynix han retrocedido un 31% y un 50%, respectivamente, desde sus niveles máximos de este año. Otras empresas principales del índice, como SanDisk, Kioxia y Western Digital, también han retrocedido con dos dígitos.

El auge de la IA se está acelerando

La otra razón por la que el ETF DRAM puede rebotar en el futuro cercano es que el auge de la IA se está acelerando. Las principales empresas del sector, como Microsoft, Alphabet, Meta Platforms y Amazon, planean gastar más de $750 mil millones este año. Tesla y SpaceX están construyendo su planta de semiconductores en Texas, mientras que Intel está recaudando fondos para continuar sus inversiones.

Otras empresas del sector, como CoreWeave, Nebius, Riot Platforms y MARA, planean seguir gastando a medida que aumenta la demanda. Esta misma semana, Anthropic alcanzó un acuerdo de $9 billion con Riot Platforms. 

Además, Nvidia ha ideado un plan para mantener el auge de los centros de datos. Ha alcanzado un acuerdo de $500 billion con instituciones financieras de primer nivel como Goldman Sachs, BlackRock y Brookfield para financiar a sus clientes. Si este modelo tiene éxito, significará que los nombres relacionados con la memoria se beneficiarán.

Todas estas empresas publicaron resultados sólidos

Asimismo, todas las empresas del ETF DRAM publicaron resultados financieros sólidos. Los ingresos de Micron se dispararon por encima de $40 billion, mientras que los de SanDisk aumentaron más del 300% en el último trimestre. SK Hynix, Samsung Electronics y Kioxia presentaron algunos de los mejores números de su historia.

Lo más notable es que estas firmas han anunciado una guía prospectiva sólida, respaldada por sus contratos a largo plazo con compañías como Microsoft y Meta Platforms. Por ejemplo, SanDisk ha alcanzado acuerdos importantes con empresas como Meta, estableciendo pisos y techos para sus productos de memoria.

Al mismo tiempo, las compañías cotizan a valoraciones atractivas. SanDisk tiene un ratio precio-beneficio a futuro de 5.96, mientras que Western Digital cotiza a un múltiplo de 21. Micron, a pesar de su fuerte crecimiento de ingresos y márgenes, cotiza a un múltiplo de 11.8. 

Análisis técnico del ETF DRAM

Gráfico del ETF DRAM | Fuente: TradingView

El gráfico diario muestra que el Roundhill Memory ETF podría rebotar en los próximos días o semanas. Ha formado un patrón de cabeza y hombros invertido y se encuentra ahora sobre la línea clavicular. El índice de fuerza relativa (RSI) ha seguido subiendo y está a punto de cruzar el nivel neutral.

Por lo tanto, es probable que el fondo experimente una fuerte ruptura alcista en los próximos días, potencialmente hacia el nivel de resistencia clave de $65. Un movimiento por encima de ese nivel indicará más ganancias, potencialmente hasta el máximo histórico.