Co oznacza capex Samsunga, SK Hynix i Micron dla przyszłości rynku pamięci?

Boom sztucznej inteligencji przekształcił pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) w jeden z najbardziej wartościowych komponentów w branży półprzewodników, przynosząc rekordowe zyski i gwałtowne wzrosty zwrotów dla akcjonariuszy niewielkiej liczby firm zdolnych je produkować.

Samsung Electronics, SK Hynix i Micron wyłoniły się jako największe beneficjenty wyścigu o infrastrukturę AI, a dostawcy chmur hyperskalowych zabiegają o zabezpieczenie układów pamięci niezbędnych do zasilania akceleratorów AI następnej generacji, takich jak platforma Rubin firmy Nvidia i jednostka Tensor Processing Unit Ironwood firmy Google.

Ponieważ popyt znacznie przewyższa podaż, producenci naturalnie poszerzają moce produkcyjne.

Jest jednak pewien haczyk.

Branża będąca teraz w centrum uwagi już wcześniej została dotknięta podobnym entuzjazmem prowadzącym do rozbudowy mocy produkcyjnych, nadpodaży, a w efekcie załamania.

W związku z tym, gdy ci producenci pamięci ponownie angażują miliardy w capex, inwestorzy zastanawiają się, czy branża nie przygotowuje gruntu pod kolejną bolesną falę nadpodaży układów pamięci, co oznaczałoby, że boom na pamięci związany z AI może okazać się krótszy niż oczekiwano.

Popyt na AI spowodował bezprecedensowy niedobór podaży

W przeciwieństwie do poprzednich cykli technologicznych obecna fala AI stworzyła nadzwyczajną dysproporcję między popytem a podażą.

Według TrendForce centra danych mają zużyć ponad 70% wszystkich wysokiej klasy układów pamięci wyprodukowanych w 2026 r., pozostawiając ograniczoną podaż dla tradycyjnych rynków, takich jak komputery osobiste, smartfony i sprzęt przedsiębiorstw.

HBM stał się jednym z najważniejszych komponentów w serwerach AI, ponieważ umożliwia procesorom przesyłanie ogromnych wolumenów danych z niezwykle dużą prędkością — co jest wymogiem przy trenowaniu i uruchamianiu coraz bardziej zaawansowanych modeli AI.

Ten niedobór pozwolił producentom pamięci narzucać ceny premium przy jednoczesnym osiąganiu rekordowych wyników finansowych.

Historia jednak wskazuje, że takie okresy rzadko trwają wiecznie.

W ciągu ostatnich dwóch dekad branża pamięci wielokrotnie podążała tym samym wzorcem: skok popytu, gwałtowny wzrost cen, producenci spieszą się z budową nowych fabryk, produkcja zalewa rynek, a ceny załamują się.

Najbardziej aktualny przykład miał miejsce w latach 2022–2023, kiedy Micron i SK Hynix poniosły straty na miliardy dolarów po rozbudowie produkcji w oparciu o popyt z czasów pandemii, który wygasł znacznie szybciej niż oczekiwano.

Dla inwestorów korzystających z dochodowego handlu pamięcią AI, nieoczekiwany zwrot w stronę nadpodaży grozi skompresowaniem eksplodujących marż i wyższych wycen, z których korzystali producenci układów tacy jak SK Hynix, Micron i Samsung.

Producenci chipów angażują setki miliardów dolarów

Producenci pamięci mimo to przyspieszają plany rozbudowy, aby sprostać popytowi ze strony AI.

SK Hynix powiedział w piątek, że jego zarząd zatwierdził około 54.3 trillion won ($38.3 billion) inwestycji do 2031 r., w tym 35.2 trillion won na drugą fazę kompleksu produkcyjnego Yongin i kolejne 19.1 trillion won na zakład M17 NAND w Cheongju.

Firma wcześniej zapowiedziała plany zainwestowania 600 trillion won w klaster półprzewodnikowy Yongin oraz kolejnych 100 trillion won na rozbudowę działalności w Cheongju.

Zakład produkcyjny Y2 w Yongin stanie się drugim z czterech planowanych zakładów DRAM w tym klastrze.

Budowa ma się rozpocząć w przyszłym roku w lipcu, a produkcja HBM i następnej generacji układów DRAM ma ruszyć w połowie 2029 r.

Budowa zakładu pamięci NAND M17 ma się rozpocząć na początku 2027 r., a uruchomienie działalności prognozowane jest na koniec 2028 r.

Samsung również intensywnie się rozbudowuje.

Wraz ze SK Hynix firma planuje zainwestować ponad $500 billion w nowe centrum produkcji półprzewodników na południowo-zachodnim wybrzeżu Korei Południowej, w ramach rządowej inicjatywy mającej na celu rozszerzenie inwestycji przemysłowych związanych z AI poza region Seulu.

Samsung przyspieszył też harmonogram prac w Yongin, zakładając start operacji w 2029 r. zamiast wcześniej przewidywanego okresu 2030–2031.

Tymczasem Micron zobowiązał się zainwestować co najmniej $200 billion w rozbudowę produkcji pamięci i badań w USA, równocześnie budując zakład półprzewodnikowy za $24 billion w Singapurze.

Według Deloitte, łączny nakład inwestycyjny Micron, Samsung i SK Hynix ma wzrosnąć o niemal 340% w latach 2024–2027.

Dlaczego analitycy uważają, że ten cykl może być inny

Pomimo skali planowanych inwestycji, wielu analityków twierdzi, że ten cykl zasadniczo różni się od poprzednich boomów w sektorze pamięci.

Według IG rynek dziś jest wspierany popytem o charakterze strukturalnym, a nie jedynie cyklicznym.

„Po pierwsze, Samsung, SK Hynix i Micron — trzy firmy, które od dawna dominują na rynku DRAM — wykazują większą dyscyplinę kapitałową niż w poprzednich cyklach, powstrzymując się od wyścigu prowadzącego do spekulacyjnego przeinwestowania. Po drugie, pamięć zoptymalizowana pod AI jest po prostu trudniejsza w produkcji: Bank of America (BofA) szacuje, że na jednostkę wymaga trzech do czterech razy większych mocy produkcyjnych niż pamięć konwencjonalna, a nowa pojemność potrzebna do zaspokojenia tego popytu napotyka fizyczne ograniczenia — przestrzeń w cleanroomach, dostęp do energii i wody — których nie da się rozwiązać wyłącznie większymi wydatkami,” napisał Fabien Yip, analityk rynkowy w IG.

Dyrektor Counterpoint Research, MS Hwang, uważa, że znacząca nowa zdolność produkcyjna raczej nie pojawi się przed 2028 r.

„Moment, w którym wszystkie te plany rozbudowy jednocześnie przełożą się na rzeczywisty wolumen produkcji, spodziewany jest najwcześniej w 2028 r.,” powiedział Hwang serwisowi Benzinga.

„Żadna z tych nowych mocy nie osiąga produkcji wolumenowej przed 2027 r. — co wspiera ceny w krótkim terminie, ale także oznacza, że kilka dużych rozbudów trafi na rynek mniej więcej w tym samym czasie w 2028 r. i później, co będzie momentem prawdziwej próby dla obecnej dyscypliny podaży w sektorze,” dodał Yip.

Wydatki na AI pozostają największą zmienną

Największym ryzykiem dla branży pozostaje tempo inwestycji w infrastrukturę AI.

Akcje spółek pamięci doświadczyły gwałtownej zmienności w lipcu, gdy inwestorzy kwestionowali, czy dostawcy chmur hyperskalowych nie wydają zbyt agresywnie na infrastrukturę AI.

Obawa polega na tym, że ponieważ wydatki już obciążają bilanse, a rezerwy gotówki są mniejsze, wszelkie ewentualne wstrzymanie budowy centrów danych oznaczałoby nagły spadek ogromnego popytu na pamięci i inne produkty firm półprzewodnikowych.

Deloitte szacuje, że hiperskalowi operatorzy przeznaczą około 30% wydatków kapitałowych na centra danych na pamięć w 2026 r., wzrastając do 36% w 2027 r.

„Obecne napięcie w podaży pamięci i podwyższone ceny mogą utrzymać się do 2029 r., a nawet do 2030 r., zakładając utrzymanie popytu wśród hiperskalowych operatorów na układy pamięci. Inni klienci potrzebujący pamięci do urządzeń takich jak komputery osobiste, smartfony i inne elektroniki użytkowej, a także do centrów danych nie-AI, prawdopodobnie także będą musieli zmierzyć się z wysokimi cenami pamięci,” stwierdził Deloitte.

Analityk Bank of America Vivek Arya również uważa, że obawy o krótkoterminowy spadek stały się przesadne.

Arya przyznał, że ceny pamięci i marże zysków prawdopodobnie ostatecznie się znormalizują, gdy dodatkowa podaż wejdzie na rynek między połową 2027 r. a 2028 r.

Jednak twierdził, że niedawna wyprzedaż odzwierciedla pozycjonowanie inwestorów przed potencjalnym załamaniem, a nie istotne pogorszenie popytu.

„Wydatki hiperskalerów nadal rosną pomimo wyższych kosztów komponentów, co sugeruje siłę cenową w sektorze półprzewodników/pamięci,” napisał Arya.

Zauważył, że stawki wynajmu GPU utrzymują się blisko rekordowych poziomów oraz że żaden większy dostawca chmury nie wskazał, aby niedobory pamięci spowalniały wdrożenia AI.

Po najnowszych wynikach Micron Bank of America wydłużył prognozowany superscykl pamięci AI do końca 2027 r., z możliwym przedłużeniem do 2030 r.

Wśród przytoczonych czynników wspierających wymieniono: zdolności produkcyjne HBM Micronu sprzedane w całości do 2027 r., produkcję NAND Kioxii już zaangażowaną na lata 2027 i 2028 oraz ostrzeżenia przewodniczącego SK Hynix, że globalna podaż pamięci może pozostać w przybliżeniu o 20% poniżej popytu do 2030 r.

Arya stwierdził, że nawet w scenariuszu niedźwiedzim, w którym ceny DRAM i NAND spadną zgodnie z poprzednimi załamaniami branżowymi, zyski nadal mogłyby się utrzymać w pobliżu $100 na akcję.

To byłoby znacznie więcej niż poprzedni szczyt cyklu Micronu wynoszący około $12 na akcję odnotowany w 2018 r.

„Nie sądzimy, aby podstawowa cykliczność branży zniknęła, ale mechanizm jej działania uległ zmianie. Umowy długoterminowe teraz zabezpieczają ceny i alokacje z wyprzedzeniem na lata, a nie z kwartału na kwartał, dając kupującym i sprzedającym większą przewidywalność niż w poprzednich cyklach, gdy niedobór mógł odwrócić się w ciągu kilku kwartałów. To nie czyni pamięci jednokierunkowym instrumentem inwestycyjnym — sprawia, że ostateczny zwrot pojawi się wolniej i potencjalnie będzie trudniejszy do wyczucia,” powiedział Yip.