سهم سامسونج يرتفع: هل تستطيع نفيديا إحياء مصنعها المتعثر؟

ارتفعت أسهم سامسونج إلكترونيكس بشكل حاد يوم الثلاثاء بعد إشارات جديدة من نفيديا عززت التوقعات بحدوث تحوّل في نشاط تصنيع الرقائق لديها.

قفز السهم حتى 5% في التعاملات المبكرة بعد أن أكد رئيس نفيديا جنسن هوانغ أن سامسونج تنتج شرائح ذكاء اصطناعي جديدة.

جدد التحديث التركيز على وحدة التصنيع (الفاوندرري) في سامسونج، التي عانت من خسائر كبيرة.

وفي الوقت نفسه، استغلت الشركة مؤتمر GTC لنفيديا في كاليفورنيا لعرض تقنيات ذاكرة جديدة، مؤكدة سعيها لتعزيز موقعها في سوق أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي.

دعم نفيديا يرفع سهم سامسونج

تحسّن شعور المستثمرين بعد التعليقات في مؤتمر مطوري نفيديا GTC يوم الإثنين.

قال جنسن هوانغ إن سامسونج تقوم بتصنيع معالج الاستدلال للذكاء الاصطناعي Groq LP30 وأضاف أن الإنتاج جاري بالفعل، مع توقعات بشحنات في النصف الثاني من هذا العام.

عرضت سامسونج أيضًا رقائق نفيديا المبنية باستخدام عملية التصنيع بدقة 4 نانومتر، ما يشير إلى تقدم في تصنيع الرقائق المتقدمة.

أثارت هذه التطورات توقعات بأن نشاط تصنيع الرقائق التعاقدي لديها قد يستقر بعد سنوات من الخسائر.

لامست الأسهم 198,000 وون قبل أن تهبط إلى 196,800 وون، وما زالت مرتفعة 4.3%. كما تقدم السوق الأوسع بنسبة 2.7%.

تعافٍ لوحدة التصنيع

واجهت وحدة التصنيع ضغوطًا ناجمة عن ضعف التشغيل والمنافسة القوية. مع ذلك، يخلق ارتفاع الطلب على رقائق الذكاء الاصطناعي فرصًا جديدة.

يتوقع المحللون أن النشاط قد يصل إلى نقطة التعادل العام المقبل إذا استمرت الطلبات المتعلقة بالذكاء الاصطناعي في النمو.

تُعد الشراكة مع نفيديا خطوة أساسية لتحسين استغلال القدرة الإنتاجية واستعادة الربحية.

قد يستمر ضعف الطلب على الهواتف الذكية، الذي يرجع جزئيًا إلى ارتفاع أسعار الذاكرة، في التأثير سلبًا على الأرباح على المدى القريب.

دفع الذاكرة للذكاء الاصطناعي

سلطت سامسونج الضوء أيضًا على تقدمها في ذاكرات الأداء العالي خلال حدث GTC.

قدمت الشركة HBM4E، ذاكرة النطاق الترددي العالي من الجيل التالي، بعد وقت قصير من بدء الإنتاج الضخم لـ HBM4.

تقدم الشريحة الجديدة سرعات تصل إلى 16 غيغابت في الثانية لكل دبوس، أسرع بأكثر من 20% مقارنة بسابقتها.

يصل إجمالي عرض النطاق إلى 4.0 تيرابايت في الثانية، بزيادة من 3.3 تيرابايت في HBM4.

تُعد هذه التحسينات مهمة لأنظمة الذكاء الاصطناعي، حيث تتيح الذاكرة الأسرع معالجة أسرع لمجموعات البيانات الكبيرة.

تخطط سامسونج لشحن عينات في النصف الثاني من هذا العام.

التقنية والشراكات

بعيدًا عن مكاسب السرعة، عرضت سامسونج ترقيات في التصنيع والتغليف.

تجمع HBM4E بين عملية DRAM من الجيل السادس فئة 10 نانومتر وتقنية الفاوندرري بدقة 4 نانومتر للرقاقة الأساسية.

قدمت الشركة أيضًا الربط النحاسي الهجين، الذي يقلل المقاومة الحرارية بنحو 20% ويسمح بتكديس 16 طبقة أو أكثر.

استخدمت سامسونج الحدث لتعزيز العلاقات مع نفيديا من خلال عرض منتجات متوافقة مع المنصات القادمة، بما في ذلك ذواكر لأجيال وحدات معالجة الرسوميات القادمة وأنظمة الخوادم.

قالت التقارير إن الرئيس التنفيذي لشركة Advanced Micro Devices، ليزا سو، من المتوقع أن تلتقي برئيس سامسونج جاي واي لي في كوريا الجنوبية، مع التركيز على احتمال التعاون في مجال أشباه الموصلات.

تزايد المنافسة

أصبح سوق أشباه موصلات الذكاء الاصطناعي أكثر تنافسية مع ارتفاع الطلب على بنية تحتية لمراكز البيانات.

المنافسون مثل SK hynix وMicron يوسعون أيضًا عروضهم من ذواكر النطاق الترددي العالي.

تشير إعلانات سامسونج الأخيرة إلى أنها تتحرك لتعزيز موقعها في مجالي الذاكرة وتصنيع الرقائق التعاقدي.

يساعد الجمع بين إنتاج رقائق الذكاء الاصطناعي الجديدة وتطوير الذاكرة المتقدمة في تغيير التوقعات بشأن استراتيجيتها لأشباه الموصلات.