DRAM: ecco perché questo ETF con Micron, SanDisk e SK Hynix sta per salire

Sentiment IA: 78/100 Rialzista
Questo punteggio è generato tramite un’analisi basata sull’IA del contenuto dell’articolo.
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Compra DRAM. L'articolo cita afflussi persistenti dagli Stati Uniti ($222M il 7 agosto; $5.72B mensili) anche mentre il settore è in un mercato ribassista: questa è domanda reale, non un semplice rimbalzo mediatico. Aggiungendo il setup: testa e spalle invertito con il prezzo sulla neckline e l'RSI in salita verso il livello neutro, spesso preludio a una rottura. Obiettivo l'area di resistenza a $65 e poi un retest dei massimi precedenti in caso di superamento.
Rischio chiave: Gli afflussi si invertono rapidamente (inizio di deflussi) e il grafico rompe nuovamente sotto la neckline, dimostrando che la narrazione “accumulazione + breakout” era sbagliata.
Compra SNDK. La tesi è basata su valutazione + domanda di memorie legata all'IA. L'articolo evidenzia un P/E prospettico di SanDisk di ~5.96 (economico rispetto ai peer) pur riportando un massiccio balzo dei ricavi e accordi importanti (inclusa Meta) che possono stabilizzare prezzi e volumi. Se DRAM rimbalza, il vincitore con il multiplo più basso e sostenuto da contratti tende a rivalutarsi per primo.
Rischio chiave: La domanda di memorie per IA delude o i prezzi contrattuali si rinegoziano al ribasso, comprimendo la capacità di generare utili nonostante il multiplo basso.
- L'ETF DRAM sta registrando forti afflussi quest'anno.
- I suoi principali componenti come SanDisk, Micron e SK Hynix hanno pubblicato risultati solidi.
- Ha formato un testa e spalle invertito sul grafico giornaliero.
Il Roundhill Memory ETF (DRAM) ha perso lo slancio che aveva alcuni mesi fa, mentre la maggior parte delle azioni del settore memoria ha registrato una flessione. È sceso a $50.9, in calo del 37% rispetto al massimo storico. Tuttavia, ci sono alcuni motivi per cui questo fondo potrebbe rimbalzare nelle prossime settimane o mesi.
DRAM potrebbe beneficiare dell'accumulo in corso
Un motivo per cui l'ETF DRAM potrebbe essere sul punto di una rottura rialzista è che gli investitori americani stanno accumulando il fondo. I dati di ETF Db mostrano che i flussi verso il fondo sono proseguiti, anche mentre rimaneva in un mercato ribassista.
Il fondo ha registrato afflussi per $222 million il 7 agosto, portando gli afflussi mensili a oltre $5.72 billion. Questa crescita ha portato gli afflussi cumulativi a $23.79 billion, rendendolo uno dei fondi in più rapida crescita quest'anno. Ora detiene $23.8 billion di asset ed è uno dei fondi più scambiati a Wall Street.
L'accumulo in corso avviene mentre la maggior parte delle società componenti resta in un mercato ribassista. Il titolo Micron è sceso di oltre il 30% dal massimo storico, mentre nomi sudcoreani come Samsung e SK Hynix hanno perso rispettivamente il 31% e il 50% rispetto ai massimi di quest'anno. Altre principali società componenti come SanDisk, Kioxia e Western Digital hanno registrato ribassi a due cifre.
Il boom dell'IA sta accelerando
L'altro motivo per cui l'ETF DRAM potrebbe rimbalzare nel prossimo futuro è che il boom dell'IA sta accelerando. Le principali aziende del settore come Microsoft, Alphabet, Meta Platforms e Amazon prevedono di spendere oltre $750 billion quest'anno. Tesla e SpaceX stanno costruendo il loro impianto di semiconduttori in Texas, mentre Intel sta raccogliendo fondi per proseguire negli investimenti.
Altre società del settore, come CoreWeave, Nebius, Riot Platforms e MARA, prevedono di continuare a spendere man mano che la domanda aumenta. Proprio questa settimana, Anthropic ha raggiunto un accordo da $9 billion con Riot Platforms.
Inoltre, Nvidia ha messo a punto un piano per sostenere il boom dei centri dati. Ha siglato un accordo da $500 billion con importanti istituzioni finanziarie come Goldman Sachs, BlackRock e Brookfield per finanziare i suoi clienti. Se questo modello avrà successo, ne beneficeranno anche i produttori di memorie.
Tutte queste società hanno pubblicato risultati solidi
Inoltre, tutte le società contenute nell'ETF DRAM hanno pubblicato risultati finanziari solidi. I ricavi di Micron sono saliti a oltre $40 billion, mentre quelli di SanDisk sono aumentati di oltre il 300% nell'ultimo trimestre. SK Hynix, Samsung Electronics e Kioxia hanno riportato alcuni dei migliori numeri di sempre.
Particolarmente rilevante è che queste società hanno fornito guidance prospettiche solide, sostenute dai loro contratti a lungo termine con aziende come Microsoft e Meta Platforms. Per esempio, SanDisk ha raggiunto accordi importanti con società come Meta, stabilendo soglie minime e massime per i suoi prodotti di memoria.
Allo stesso tempo, le società trattano a valutazioni favorevoli. SanDisk ha un rapporto prezzo/utili prospettico di 5.96, mentre Western Digital è scambiata a un multiplo di 21. Micron, nonostante la forte crescita dei ricavi e dei margini, presenta un multiplo di 11.8.
Analisi tecnica dell'ETF DRAM

Grafico ETF DRAM | Fonte: TradingView
Il grafico giornaliero mostra che il Roundhill Memory ETF potrebbe essere sul punto di rimbalzare nei prossimi giorni o settimane. Ha formato un testa e spalle invertito ed è ora sulla linea del collo. L'Indice di Forza Relativa (RSI) ha continuato a salire ed è prossimo a superare il livello neutro.
Di conseguenza, il fondo probabilmente avrà una forte rottura rialzista nei prossimi giorni, potenzialmente verso il livello di resistenza chiave di $65. Un movimento oltre quel livello indicherà ulteriori guadagni, potenzialmente verso il massimo storico.

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