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DRAM : cet ETF a un gros problème avec SK Hynix, Micron Technology et Samsung

DRAM : cet ETF a un gros problème avec SK Hynix, Micron Technology et Samsung
Crispus Nyaga
28 mai 2026, 15:57 PM

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DRAM ETF (DRAM)

Acheter DRAM. Les informations confirment une réelle pénurie de mémoire liée à l’IA, SK Hynix, Samsung et Micron affichant une croissance explosive des revenus et des profits, ainsi qu’un renforcement des bilans. DRAM est la manière la plus directe de s’exposer à l’ensemble du cycle haussier tant que la demande reste contrainte et que l’offre ne peut pas monter en puissance rapidement. Risque clé : une forte déception sur les résultats ou les prévisions de SK Hynix, Micron ou Samsung qui déclencherait un désengagement rapide de l’ensemble du groupe.

Risque clé : Une déception majeure sur les résultats ou les prévisions d’une des trois principales positions qui remettrait en cause la thèse de la pénurie et déclencherait une large vente.

SK Hynix (000660.KS)

Acheter SK Hynix. C’est le plus gros titre unique du DRAM (29,9 %) et l’article souligne la plus forte amélioration du bilan (trésorerie en hausse, dette en baisse) parallèlement à une très forte croissance des revenus. Cette combinaison soutient à la fois la capacité bénéficiaire et la résilience si le cycle se refroidit légèrement. Risque clé : une chute soudaine de la demande ou un retrait des clients qui obligerait SK Hynix à baisser les prix/les livraisons, inversant la hausse des résultats.

Risque clé : La demande en mémoire s’affaiblit plus vite que prévu, forçant SK Hynix à réduire les prix ou les livraisons et comprimant les marges.

  • L’ETF DRAM a accumulé plus de 12 milliards de dollars d’actifs sous gestion.
  • Il profite de la demande soutenue en puces mémoire.
  • Le principal risque est que SK Hynix, Micron et Samsung représentent 77,7 % du fonds.

Le très dynamique Roundhill Memory ETF (DRAM) tourne à plein régime, porté par la hausse de la demande pour ses sociétés constitutives. Il a atteint un record à 62 $ cette semaine, en hausse de 120 % par rapport à son plus bas historique. Cette envolée, conjuguée à des flux entrants soutenus, a porté ses actifs sous gestion (AUM) à 12,18 milliards de dollars, faisant de lui l’ETF à la croissance la plus rapide de l’histoire.

L’ETF DRAM profite de la forte demande en mémoire

Le Roundhill Memory ETF réalise une bonne année, aidé par la demande continue en mémoire liée au boom de l’IA, qui a provoqué une pénurie mondiale. Cette pénurie a entraîné une forte croissance des revenus et de la rentabilité dans le secteur.

Plus particulièrement, les analystes estiment que la pénurie va durer quelque temps, les entreprises n’étant pas en mesure d’augmenter rapidement leur production à court terme.

Les résultats les plus récents montrent que les sociétés du DRAM ETF enregistrent un bond des revenus. Par exemple, le Sud-coréen SK Hynix a déclaré que son chiffre d’affaires a augmenté de 60 % en glissement trimestriel et de 198 % en glissement annuel pour atteindre 52 000 milliards KRW ($37.8 billion). 

Sa structure bilancielle s’est également améliorée, sa trésorerie passant à 54,3 000 milliards KRW contre 14,3 000 milliards KRW au T1’25, tandis que sa dette est tombée de 23,3 000 milliards KRW à 19,32 000 milliards KRW.

Il en va de même pour Samsung Electronics, dont le chiffre d’affaires a été multiplié par près de 50, et dont le résultat d’exploitation dans la division puces est passé à 53,7 000 milliards KRW ($36.15 billion) contre 1,1 000 milliards KRW sur la même période l’an dernier.

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D’autres sociétés de l’ETF comme Micron, Sandisk, Seagate et Western Digital ont également publié des résultats solides, et cette tendance devrait se poursuivre. Par exemple, les analystes prévoient que le chiffre d’affaires de Sandisk bondira de 165 % cette année pour atteindre $20 billion, puis $42 billion l’an prochain.

De même, les analystes estiment que le chiffre d’affaires de Micron augmentera de 193 % cette année pour atteindre $109 billio et $173 billion l’an prochain. Seagate devrait réaliser $12 billion et $16 billion au cours des deux prochains exercices financiers.

SK Hynix, Micron et Samsung représentent un risque majeur

L’ETF DRAM fait face à plusieurs risques importants. L’un d’eux est le fait qu’il a grimpé trop vite. Dans la plupart des cas, des actifs qui montent ainsi sont généralement vulnérables à des replis. Techniquement, ce repli survient normalement parce que les actifs deviennent fortement surachetés. 

La concentration est le principal risque auquel cet ETF est exposé, les trois premières sociétés représentant 77,7 % du fonds. SK Hynix pèse 29,9 %, tandis que Micron et Samsung représentent respectivement 28 % et 19,7 % du fonds. 

Cette concentration signifie que le cours des actions DRAM continuera de bien se comporter tant que ces trois entreprises prospèrent. Le risque, en revanche, est qu’un problème majeur dans l’une d’elles entraîne un repli substantiel. L’un des risques potentiels concerne les bénéfices : bien que leurs chiffres soient attendus en forte hausse, une déception sur les résultats ou sur les prévisions peut provoquer un retournement brutal. 

Cette concentration est énorme. Par exemple, les dix plus grandes valeurs du Nasdaq 100 représentent 46 % de sa valeur. De même, les dix plus grandes du S&P 500 représentent 38 %.