L'ETF DRAM a gagné 18 % le mois dernier — peut-il maintenir sa surperformance

Le Roundhill Memory ETF a progressé de presque 18 % au cours du dernier mois alors que les investisseurs se concentrent sur le resserrement de l'offre de mémoire et la hausse de la demande pour la mémoire à large bande passante (HBM) utilisée dans l'infrastructure de l'intelligence artificielle.

Le déploiement de l'IA stimule la demande de mémoire

Un rapport de Seeking Alpha a souligné l'importance croissante de la mémoire dans le déploiement de l'infrastructure IA, citant des recherches du cabinet taïwanais d'études de marché sur les semi‑conducteurs TrendForce.

TrendForce a indiqué que le DRAM et le NAND Flash devraient représenter 47 % des dépenses d'investissement totales des fournisseurs de services cloud en 2026, et que cette part devrait atteindre 68 % en 2027.

La recherche a relié le resserrement du marché DRAM à la hausse de la demande en HBM.

L'HBM est largement utilisé dans les workflows IA, chaque unité HBM nécessitant environ trois à quatre fois la capacité de wafer d'une mémoire DDR5 traditionnelle.

À mesure que les fabricants réallouent des capacités de production vers l'HBM, moins de capacité reste disponible pour le DRAM conventionnel.

Le secteur de la mémoire a historiquement connu des cycles marqués de boom et de krach, entraînant des périodes de sous‑investissement et de consolidation.

Samsung Electronics, SK hynix et Micron sont désormais les trois principaux acteurs restants sur le marché du DRAM et de l'HBM.

Les prix du DRAM explosent alors que l'offre reste tendue

Le déséquilibre offre‑demande s'est également reflété dans les prix de la mémoire.

Le rapport de Seeking Alpha indiquait que les prix au comptant du DDR5 16G DRAM sont passés de $6,20 par unité au début d'août 2025 à $54 au 3 septembre 2026, soit une hausse de 775,6 %.

Le rapport notait aussi que la hausse des prix de la mémoire avait aidé les grands fabricants à améliorer leur rentabilité. Il citait la récente montée de Samsung en tête du classement des entreprises les plus rentables au monde, dépassant Nvidia.

Malgré ce contexte sectoriel favorable, le Roundhill Memory ETF avait auparavant subi un recul significatif à partir d'un pic au‑dessus de $80. La vente était due à des liquidations forcées liées à des positions à effet de levier de détail en Corée du Sud, plutôt qu'à une détérioration des fondamentaux du secteur.

Le rapport indiquait que les valorisations et les programmes de redistribution aux actionnaires chez les trois grands fabricants pourraient apporter un soutien supplémentaire. L'ETF offre un moyen pour les investisseurs d'obtenir une exposition à Samsung, SK hynix et Micron sans devoir sélectionner une seule société.

La concentration crée à la fois opportunité et risque

Samsung, SK hynix et Micron représentent environ 73 % des actifs du Roundhill Memory ETF.

Cette concentration offre aux investisseurs une exposition ciblée aux principaux acteurs de la mémoire mais augmente aussi l'impact des évolutions spécifiques à une société.

L'ETF fait face à plusieurs risques. Un trimestre décevant pour l'une de ses principales positions ou une réduction des dépenses d'infrastructure IA par un hyperscaler majeur pourrait peser de façon disproportionnée sur le fonds. Les prix de la mémoire sont également cycliques et peuvent évoluer rapidement.

Toutefois, l'analyste de Seeking Alpha a soutenu que le cycle actuel pourrait différer des précédents booms de la mémoire en raison de l'importance croissante de l'HBM pour les charges de travail IA.

L'analyse indiquait que, même si les dépenses d'infrastructure IA pouvaient éventuellement se normaliser, un effondrement de la demande en HBM semble peu probable tant que les principaux fournisseurs cloud continuent de se développer.

Le Roundhill Memory ETF offre donc aux investisseurs une exposition concentrée à un secteur de la mémoire bénéficiant de la demande liée à l'IA, tout en restant sensible aux cycles des semi‑conducteurs, aux valorisations et aux dépenses des grandes sociétés technologiques.

Les investisseurs passifs souhaitant capitaliser sur le boom des puces mémoire peuvent investir dans le DRAM ou d'autres fonds thématiques similaires via les plateformes d'ETF.