DRAM : pourquoi cet ETF Micron, SanDisk et SK Hynix est sur le point d’exploser

Le Roundhill Memory ETF (DRAM) a perdu l'élan qu'il détenait il y a quelques mois, alors que la plupart des valeurs mémoire ont reculé. Il est retombé à $50.9, en baisse de 37% par rapport à son plus haut historique. Néanmoins, il existe des raisons pour lesquelles ce fonds pourrait rebondir dans les semaines ou les mois à venir. 

Le DRAM pourrait bénéficier de l'accumulation en cours

L'une des raisons pour lesquelles l'ETF DRAM pourrait être sur le point d'enclencher une cassure haussière est que les investisseurs américains accumulent le fonds. Les données d'ETFdb montrent que ses entrées nettes ont continué d'acheter, même alors qu'il restait en marché baissier. 

Le fonds a enregistré $222 million d'entrées le 7 août, portant les flux mensuels à plus de $5.72 billion. Cette croissance a porté ses flux cumulés à $23.79 billion, en faisant l'un des fonds à la croissance la plus rapide cette année. Il détient désormais $23.8 billion d'actifs et fait partie des fonds les plus échangés à Wall Street. 

Cette accumulation se produit alors que la plupart des sociétés composantes restent en marché baissier. l'action Micron a chuté de plus de 30% par rapport à son plus haut historique, tandis que des noms sud-coréens comme Samsung et SK Hynix ont reculé de 31% et 50%, respectivement, par rapport à leurs niveaux les plus élevés cette année. D'autres principaux composants comme SanDisk, Kioxia et Western Digital ont tous reculé à deux chiffres.

L'essor de l'IA s'accélère

L'autre raison pour laquelle l'ETF DRAM pourrait rebondir prochainement est que l'essor de l'IA s'accélère. Les grandes entreprises du secteur, comme Microsoft, Alphabet, Meta Platforms et Amazon, prévoient de dépenser plus de $750 billion cette année. Tesla et SpaceX construisent leur usine de semi-conducteurs au Texas, tandis que Intel lève des fonds pour poursuivre ses investissements.

D'autres sociétés du secteur, comme CoreWeave, Nebius, Riot Platforms et MARA, prévoient de continuer à dépenser à mesure que la demande augmente. Cette semaine, Anthropic a conclu un accord de $9 billion avec Riot Platforms. 

Par ailleurs, Nvidia a mis au point un plan pour prolonger l'expansion des centres de données. Elle a conclu un accord de $500 billion avec des institutions financières de premier plan comme Goldman Sachs, BlackRock et Brookfield pour financer ses clients. Si ce modèle réussit, cela profitera aux acteurs de la mémoire.

Toutes ces sociétés ont publié de solides résultats

De plus, toutes les sociétés de l'ETF DRAM ont publié de solides résultats financiers. Le chiffre d'affaires de Micron a bondi au‑delà de $40 billion, tandis que celui de SanDisk a augmenté de plus de 300% au dernier trimestre. SK Hynix, Samsung Electronics et Kioxia ont publié certains de leurs meilleurs chiffres jamais enregistrés.

Surtout, ces entreprises ont annoncé des prévisions prospectives solides, aidées par leurs contrats à long terme avec des groupes comme Microsoft et Meta Platforms. Par exemple, SanDisk a conclu des accords importants avec des sociétés telles que Meta, définissant des planchers et des plafonds pour ses produits mémoire.

Dans le même temps, les sociétés se négocient à des valorisations attractives. SanDisk affiche un ratio cours/bénéfice anticipé de 5.96, tandis que Western Digital se négocie à un multiple de 21. Micron, malgré sa forte croissance des revenus et des marges, a un multiple de 11.8. 

Analyse technique de l'ETF DRAM

Graphique ETF DRAM | Source : TradingView

Le graphique journalier montre que le Roundhill Memory ETF pourrait être sur le point de rebondir dans les jours ou semaines à venir. Il a formé une figure d'épaule‑tête‑épaule inversée et se trouve désormais au niveau de la ligne de cou. L'indice de force relative (RSI) continue de monter et est sur le point de franchir le niveau neutre.

Par conséquent, le fonds devrait probablement connaître une forte cassure haussière dans les prochains jours, potentiellement jusqu'au niveau de résistance clé de $65. Un mouvement au‑dessus de ce niveau ouvrirait la voie à de nouveaux gains, potentiellement jusqu'au plus haut historique.