Micron +3 %, SanDisk +2,5 % : qu'est‑ce qui a relancé le secteur mémoire ?

Les actions Micron et SanDisk ont rebondi en préouverture lundi après qu'une sévère vente dans le secteur des semi‑conducteurs a poussé les investisseurs à réévaluer l'une des composantes les plus encombrées du trade lié à l'intelligence artificielle.

À 4h30 ET, Micron (NASDAQ: MU) progressait de plus de 3 %, tandis que SanDisk (NASDAQ: SNDK) avait gagné environ 2,5 %, selon les données de marché, les investisseurs cherchant à acheter la baisse après la forte vente de la semaine dernière.

Ce retournement illustre le débat qui divise les investisseurs en mémoire : la débâcle de la semaine passée a‑t‑elle créé un point d'entrée attractif ou le marché commence‑t‑il à anticiper la prochaine phase baissière d'un secteur notoirement cyclique ?

Micron, SanDisk : une vente massive a attiré les acheteurs sur repli

Le rebond fait suite à une semaine pénible pour le matériel lié à l'IA : l'indice Philadelphia Semiconductor a chuté de 1,6 % vendredi et est entré en marché baissier après une baisse de plus de 20 % depuis son pic de juin.

Micron a terminé la semaine environ 30 % en dessous de son record de juin, tandis que SanDisk avait reculé de plus de 28 % depuis son plus haut du 25 juin.

L'action SanDisk avait bondi de plus de 600 % en 2026, soulignant jusqu'où les attentes et les valorisations s'étaient envolées avant la correction.

Ce réajustement a incité les traders à revisiter des entreprises qui continuent de bénéficier d'une offre contraint et de prix en hausse.

Fabio Bassi, stratégiste cross‑asset chez JPMorgan, a décrit le recul des puces comme un « tremblement » temporaire plutôt que la fin du rallye lié à l'IA, selon des commentaires rapportés par The Wall Street Journal.

Bassi a déclaré que les actions mémoire étaient devenues des positions très concentrées, de sorte que de faibles changements de sentiment peuvent produire des mouvements exceptionnellement importants.

La demande pour la capacité de calcul requise par l'IA reste toutefois soutenue.

C'est ce qui explique en partie pourquoi les acheteurs sont réapparus rapidement lundi, même si les préoccupations plus larges sur les valorisations et les dépenses qui ont motivé la vente de vendredi n'ont pas disparu.

Les pénuries maintiennent l'argument haussier

L'argument fondamental n'a pas disparu.

John Vinh, analyste chez KeyBanc, a déclaré que « les pénuries de mémoire restent persistantes » après des vérifications de la chaîne d'approvisionnement en Asie. Vinh prévoit des conditions tendues jusqu'en 2027.

KeyBanc anticipe que les prix du DRAM augmenteront de 15–20 % séquentiellement au troisième trimestre et encore de 15 % au quatrième. Les prix du NAND pourraient bondir de 30–40 % ce trimestre, suivis d'une nouvelle hausse de 15 %.

Micron est fortement exposé au DRAM et à la mémoire à large bande passante utilisée avec les accélérateurs IA.

SanDisk est centré sur le NAND flash et les SSD d'entreprise, qui stockent et récupèrent les jeux de données utilisés dans les charges de travail IA.

Amit Daryanani, analyste chez Evercore ISI, a indiqué à ses clients que les accords clients à long terme de SanDisk créaient un « nouveau paradigme de la mémoire ».

Ces contrats améliorent la visibilité sur les revenus, les bénéfices et les flux de trésorerie alors que la capacité en salles blanches reste contrainte.

Le boom crée son propre risque

La même pénurie qui soutient les prix encourage d'énormes investissements.

Samsung et SK Hynix ont présenté des centaines de milliards de dollars de nouveaux projets de production, tandis que Micron a récemment relevé son projet d'investissement aux États‑Unis à plus de 250 milliards de dollars d'ici 2035.

Ces dépenses mettront des années à influencer l'offre, mais elles ravivent le souvenir de cycles précédents où les pénuries avaient déclenché une surcapacité et une chute des prix.

ChangXin Memory Technologies, en Chine, est une autre source d'inquiétude.

Morgan Stanley estime que la Chine pourrait fournir environ 30 % des ajouts nets de tranches de wafers DRAM jusqu'en 2028.

Des prix de la mémoire plus élevés peuvent aussi devenir contre‑productifs.

Un DRAM, HBM et NAND plus coûteux augmente le coût des infrastructures IA, accentuant la pression sur les hyperscalers déjà sommés de démontrer le rendement de budgets d'investissement colossaux.