ETF DRAM menacé alors que SK Hynix, Micron et SanDisk plongent malgré les entrées

Le Roundhill Memory ETF (DRAM) est en chute libre cette semaine, atteignant son plus bas niveau depuis le 7 mai de cette année. Il a plongé de plus de 43% par rapport à son point le plus élevé de l'année. Ce repli pourrait se poursuivre après les derniers résultats de SK Hynix, qui ont fait chuter son action à son niveau le plus bas depuis le 30 avril. 

DRAM ETF menacé alors que l'action SK Hynix baisse

Le Roundhill Memory ETF subit une forte liquidation ce mois-ci, les principales sociétés de mémoire continuant de plonger. Ce repli pourrait se poursuivre après que SK Hynix, un constituant majeur, a poursuivi sa chute en Corée du Sud.

L'action SK Hynix est tombée à 1.25 million de won, son niveau le plus bas depuis avril, après la publication de ses résultats financiers. Le titre a plongé après que la société a signalé une montée des dépenses d'investissement, qui atteindront $31 billion, une hausse de 50%. 

La société a déclaré que ses revenus et ses marges ont augmenté, même si le bénéfice est resté en deçà des attentes. Cette croissance s'explique par la demande persistante pour ses produits mémoire, que les analystes estiment devoir se maintenir à court terme. 

L'action de SK Hynix a également plongé dans le contexte du désendettement en cours en Corée du Sud, où de nombreux investisseurs particuliers et institutionnels se sont fortement endettés. En effet, un haut responsable sud-coréen a présenté des excuses au vu du grand nombre de Sud-Coréens ayant perdu une fortune ces dernières semaines.

SK Hynix exerce une influence importante sur le DRAM ETF puisqu'elle est le troisième constituant, avec une pondération de 22%. Micron et Samsung, les autres grandes entreprises du fonds, représentent respectivement 27% et 24%. 

Les principales valeurs mémoire ont plongé avant leurs résultats

La chute en cours du DRAM ETF intervient alors que d'autres grands acteurs du secteur mémoire baissent avant la publication de leurs résultats. L'action Kioxia Holdings a plongé à 38,380 yen, en baisse de 65% par rapport à son plus haut niveau de l'année. Cette vente s'est accélérée avant la publication de ses résultats.

En Corée du Sud, le cours de Samsung Electronics a plongé en raison du désendettement en cours et d'un recentrage sur d'autres sociétés. Il a baissé avant la publication des résultats définitifs du deuxième trimestre, qui fourniront plus de détails que le préliminaire.

Le titre Micron a chuté de 35% depuis son pic, tandis que d'autres grands noms comme Sandisk, Western Digital et Seagate Technologies ont enregistré des baisses à deux chiffres. 

Les entrées dans le DRAM ETF se poursuivent

Malgré ces tensions, les investisseurs continuent d'allouer des capitaux au Roundhill Memory ETF. Les données montrent que le fonds a enregistré $160 million d'entrées le 27 juillet. Il a ajouté plus de $7.4 billion d'entrées au cours du dernier mois, avec une seule journée de sorties sur cette période.

Entrées DRAM | Source : ETF Db

Une raison de cet optimisme est que les analystes maintiennent une perspective haussière sur les principaux noms du fonds. Par exemple, les analystes de DA Davidson et Susquehanna ont relevé leur objectif de cours pour Micron à $2,000, une forte hausse par rapport au $820 actuel. L'estimation moyenne des analystes est de $1,268, en hausse de 54% par rapport au niveau actuel.

Tous les analystes suivant SanDisk ont une recommandation d'achat, Susquehanna ayant un objectif à $3,050, bien supérieur au $1,278 actuel. Wells Fargo cible $1,620, tandis qu'Evercore le voit monter à $3,100. 

Le consensus des analystes est que le secteur de l'intelligence artificielle a encore de la marge de progression, alors que davantage d'entreprises continuent d'investir. L'estimation est que des sociétés comme Amazon, Google et Microsoft dépenseront plus de $750 billion en dépenses d'investissement cette année. On estime que ces entreprises dépenseront plus de $5 trillion d'ici 2030, certains de ces fonds étant alloués aux sociétés de mémoire.